Informace o projektu
NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií
(NANOE)
- Kód projektu
- CZ.1.07/2.3.00/20.0027 (kod CEP: EE2.3.20.0027)
- Období řešení
- 8/2011 - 7/2014
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR
- Operační program Vzdělávání pro konkurenceschopnost (VK)
- 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji
- Fakulta / Pracoviště MU
- Středoevropský technologický institut
- Spolupracující organizace
-
Vysoké učení technické v Brně
Cílem projektu je přivést zahraniční vědce a využít jejich know-how a kontakty pro posílení a rozvoj vědeckovýzkumné práce v rámci centra vědecké excelence CEITEC - Středoevropského technologického institutu (STI), konkrétně ve výzkumném programu Pokročilé nanotechnologie a mikrotechnologie a rozvoj jeho pracovníků. V průběhu realizace projektu budou ve formujícím se výzkumném týmu působit 2 významní vědci se zkušenostmi se zahraničním výzkumem a projekty mezinárodního výzkumu a vývoje. Tito vědci budou své zkušenosti předávat ostatním členům výzkumného týmu a dalším cílovým skupinám (výzkumným pracovníkům, studentům), kteří tak budou mít možnost rozvíjet své odborné znalosti a kompetence. Během realizace projektu se členové výzkumného týmu a cílových skupin budou také účastnit zde i v zahraničí odborných vzdělávacích akcí, souvisejících s tématy jejich výzkumné činnosti. Projekt bude realizovat STI VUT v Brně ve spolupráci s fakultami VUT (FSI, FEKT) a s CEITEC Masarykova univerzita.
Publikace
Počet publikací: 18
2014
-
3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
Thin Solid Films, rok: 2014, ročník: 557, vydání: 30 April 2014, DOI
-
Mapping of properties of thin plasma jet films using imaging spectroscopic reflectometry
MEASUREMENT SCIENCE & TECHNOLOGY, rok: 2014, ročník: 25, vydání: 11, DOI
-
Reconstruction of crystal shapes by X-ray nanodiffraction from three-dimensional superlattices
Journal of Applied Crystallography, rok: 2014, ročník: 47, vydání: 6, DOI
-
Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates
SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES, rok: 2014
2013
-
Optical probe of ferroelectric order in bulk and thin-film perovskite titanates
Physical Review B, rok: 2013, ročník: 88, vydání: 10, DOI
-
Perfect crystals grown from imperfect interfaces
Scientific Reports, rok: 2013, ročník: 3, vydání: Jul, DOI
2012
-
Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition
Physical Review B, rok: 2012, ročník: 86, vydání: 11, DOI
-
Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon
2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2, rok: 2012