Informace o projektu
Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)
- Kód projektu
- TH01010419
- Období řešení
- 1/2015 - 12/2017
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Technologická agentura ČR
- EPSILON
- Fakulta / Pracoviště MU
- Středoevropský technologický institut
- Spolupracující organizace
-
Vysoké učení technické v Brně
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
- Odpovědná osoba Ing Adam Klimsza, Ph.D.
Výzkum a vývoj pokročilé substrátové desky se SOI strukturou pro použití v TIGBT technologii.
Výzkum a vývoj výrobního procesu technologie TIGBT pro redukci vodivostních a spínacích ztrát.
Výzkum a vývoj nové generace TIGBT pro náročné aplikace.
Na SOI substrátu připraveném ve výrobní lince CZ2 bude vyvíjen vyrobní postup aktivní stuktury TIGBT součástky s použitím stávajících zařízení dostupných ve výrobní lince polovodičů CZ4. Veškeré mezioperační kontroly v průběhu výrobního procesu budou provedeny na měřicích zařízeních, které jsou rovněž dostupné v CZ4. Během vývoje vzniknou na výrobních zařízeních nové operační recepty potřebné pro zpracování SOI substrátů a/nebo pro vytvoření aktivní struktury TIGBT se sníženou vstupní kapacitou. Měření elektrických parametrů dokončených součástek bude provedeno rovněž s použitím stávajících měřících zařízení dostupných na výrobní lince CZ4.
Analýzy kvality povrchu křemíkových desek budou provedeny s použitím AFM mikroskopu u partnera projektu (VUT).
Publikace
Počet publikací: 4
2019
-
Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots
Annalen der Physik (Berlin), rok: 2019, ročník: 531, vydání: 6, DOI
2016
-
Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules
ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI
2015
-
Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots
Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 19, DOI
-
Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots
Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 24, DOI